Epitaxial single T centres in silicon-on-insulator
📄 arXiv:2607.06272 · 📥 PDF · 2026-07-07 · quant-ph
Authors: Christian H. Christiansen [arXiv · scholar] , Kasper H. Nielsen [arXiv · scholar] , Alisha Nanwani [arXiv · scholar] , Sebastiano Guaraldo [arXiv · scholar] , E. Laurits Piehorsch [arXiv · scholar] , Arnulf J. Snedker-Nielsen [arXiv · scholar] , Magnus L. Madsen [arXiv · scholar] , David R. Gongora [arXiv · scholar] , Emanuele Brusaschi [arXiv · scholar] , Rodrigo A. Thomas [arXiv · scholar] , Ian Farrer [arXiv · scholar] , D. Hieu Nguyen [arXiv · scholar] , Georgios Kountouris [arXiv · scholar] , Beñat M. d. A. Jokisch [arXiv · scholar] , Mohammad Khalifa [arXiv · scholar] , Claudia Piccinini [arXiv · scholar] , Mathias Ø. Augustesen [arXiv · scholar] , Hugo Laurell [arXiv · scholar] , Kokeb B. Benti [arXiv · scholar] , Maria S. Gonzalez [arXiv · scholar] , Amedeo Carbone [arXiv · scholar] , Elvedin Memisevic [arXiv · scholar] , Sangeeth Kallatt [arXiv · scholar] , Mark K. Svendsen [arXiv · scholar] , Marianne E. Bathen [arXiv · scholar] , Lasse Vines [arXiv · scholar] , Peter Granum [arXiv · scholar] , Peter Krogstrup [arXiv · scholar] , Stefano Paesani [arXiv · scholar]
🕰 Orloj analysis
Tento článek představuje epitaxní inkorporaci jednotlivých T-center do křemíku na izolantu (SOI) pomocí molekulární svazkové epitaxe (MBE) pro spin-fotonová rozhraní. Autoři demonstrují emisi T-center spojenou s nanofotonickým vlnovodem a pozorují potlačení homogenního rozšíření, což vede k úzkým optickým šířkám čar 30 MHz.
💡 Práce představuje významný technický pokrok v oblasti křemíkových kvantových emitorů, který má vysokou hodnotu pro škálovatelné kvantové výpočty a sítě.
✓ falsifiable, modest_claims
📄 Abstract
Spin-photon interfaces based on silicon quantum emitters offer a scalable platform for quantum computing and networking. However, achieving coherent photon emission remains a primary challenge due to stringent material quality requirements. To overcome this, we utilise high-purity molecular-beam epitaxy (MBE) to epitaxially incorporate single T centres in silicon-on-insulator (SOI) wafers. We demonstrate single T-centre emission coupled to a nanophotonic waveguide and observe significant suppression of homogeneous broadening, yielding optical linewidths as narrow as 30 MHz using natural silicon for crystal growth. These results establish epitaxial T centres as a robust foundation for coherent spin-photon interfaces in silicon quantum photonics.