Radio frequency readout and control of Ge/SiGe hole spin qubits with a global accumulation gate
📄 arXiv:2607.06342 · 📥 PDF · 2026-07-07 · quant-ph
Authors: Tien-Ho Chang [arXiv · scholar] , Chi-Wei Lee [arXiv · scholar] , Jian-Chang Zeng [arXiv · scholar] , Chia-Hao Wei [arXiv · scholar] , Ching-Shiang Wang [arXiv · scholar] , Fu-Yuan Gu [arXiv · scholar] , Guan-Yu Yang [arXiv · scholar] , Ruei-Syuan Chiang [arXiv · scholar] , Ho-Chun Wu [arXiv · scholar] , Ming-Hao Lee [arXiv · scholar] , Ming-Wen Chu [arXiv · scholar] , Guang Li Luo [arXiv · scholar] , Ta-Chun Cho [arXiv · scholar] , Shawn S. H. Hsu [arXiv · scholar] , Tzu-Kan Hsiao [arXiv · scholar]
🕰 Orloj analysis
Tento článek představuje novou metodu výroby Ge/SiGe spinových qubitů s globální akumulační bránou a jednovrstvými deplečními jemnými bránami, která výrazně zjednodušuje výrobní proces. Autoři demonstrují RF-založené jednorázové čtení spinu a koherentní kontrolu dvou qubitů, přičemž výkon je srovnatelný s konvenčními zařízeními.
💡 Práce přináší cenné inženýrské zjednodušení výroby spinových qubitů, což může urychlit výzkum v oblasti kvantových technologií, aniž by obětovala výkon.
Categories:
EXP-2
EXP-1
MET-4
INF-3
✓ falsifiable, modest_claims
⚠ Srovnání výkonu s 'podobnými' zařízeními by mohlo být kvantifikováno s konkrétními čísly a statistickou analýzou., Tvrzení o 'podstatném snížení složitosti výroby' by mohlo být podpořeno kvantitativními metrikami (např. počet kroků, výtěžnost).
📄 Abstract
Hole spin qubits in undoped Ge/SiGe quantum well structures have advanced rapidly in performance and scalability. However, stringent multi-layer patterning and overlay requirements of conventional overlapping-gate devices create a bottleneck for academic proof-of-concept experiments involving few-qubit devices. Here we present fabrication and measurements of Ge/SiGe spin qubit devices with a global accumulation gate and single-layer depletion fine gates, which substantially reduce fabrication complexity. With careful design of the gate-2DHG capacitance, we demonstrate RF-based single-shot spin readout and coherent control of two single-spin qubits. We also characterize the spin coherence times and exchange tunability, which are similar to those reported in recent overlapping-gate Ge/SiGe spin qubit devices. By simplifying fabrication without sacrificing performance, our approach offers a more accessible device design for spin-based quantum technology research.