Cluster-configurational study of G-center in Silicon
📄 arXiv:2607.14083 · 📥 PDF · 2026-07-15 · quant-ph
Authors: Narayan Pokhrel [arXiv · scholar] , Kyungwha Park [arXiv · scholar] , Vsevolod Ivanov [arXiv · scholar]
🕰 Orloj analysis
Článek zkoumá spinové a optické vlastnosti G-center v křemíku pomocí multikonfiguračních kvantově chemických metod. Autoři dosahují shody s experimentálními daty a počítají dobu dekoherence pro potenciální aplikace v kvantových počítačích.
💡 Práce aplikuje standardní kvantově chemické metody k charakterizaci známého defektu, což přináší validované výsledky pro specifické vlastnosti, ale nenabízí zásadní metodologickou či teoretickou novinku.
✓ falsifiable, modest_claims
⚠ no explicit mention of error bars or uncertainty quantification, computational cost/limitations not discussed
📄 Abstract
Understanding the properties of defects is imperative for proper use for variety of applications including quantum computing. In this paper, we use the multiconfigurational self consistent field (MCSCF) combined with DFT optimized geometry in order to investigate the spin and optical properties of G centers in Silicon. By utilizing quantum chemistry based methods, we show excellent agreement with the Zero Phonon Line and Zero Field Splitting Tensor components of the G center. We also calculate the theoretical spin decoherence time of the G centers using Cluster Correlation Expansion (CCE) methods.