Role of Local Structural Variation in X-ray Photoelectron Spectrum of Silicon Oxide Interfaces
📄 arXiv:2606.18769 · 📥 PDF · 2026-06-17 · cond-mat.dis-nn
Authors: Mikael Santonen [arXiv · scholar] , Sari Granroth [arXiv · scholar] , Johanna Laaksonen [arXiv · scholar] , Pekka Laukkanen [arXiv · scholar] , Johannes Niskanen [arXiv · scholar]
🕰 Orloj analysis
Tato práce ukazuje, že široké čáry rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) oxidu křemíku na křemíku pocházejí ze spojité statistické distribuce vazebných energií. Statistické simulace v celém rozsahu složení od Si po SiO$_2$ reprodukují toto rozšíření a zpochybňují konvenční přiřazení chemických stavů.
💡 Práce nabízí novou interpretaci XPS spekter oxidu křemíku, která je cenná pro materiálovou vědu a povrchovou fyziku, a to díky kvantitativnímu souladu s experimentálními daty.
✓ falsifiable, limit_reductions, modest_claims
⚠ Specifics of statistical simulation methodology not detailed in abstract, Quantitative agreement metrics not specified in abstract
📄 Abstract
We show that the broad X-ray photoelectron lines of silicon oxide on silicon arise from a continuous statistical distribution of core-level binding energies. Statistical simulations spanning compositions from Si to SiO$_2$ reproduce the full extent of this broadening, reaching 5 eV for SiO$_{1.0}$ , in quantitative agreement with 0.23 nm layer-resolved spectra reconstructed from Ar$^+$ sputtering data. This continuous distribution blurs distinct spectral fingerprints of local structural motifs, thereby challenging conventional chemical state assignment in oxide X-ray photoelectron spectra.